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hmt 为高质量的Sic Ingots，Sic Wafers和SIC Crystal底物提供最高的市场价格，直径长达六（6）英寸。我们的价格匹配政策可确保您的SIC Crystal产品的最佳价格具有可比的规格。立即联系HMT以获取您的报价。
SIC长晶体效率比Si慢100至200倍，Si长晶体约3天，使200厘米高的晶体杆，SIC至7天，生长2至5 cm的水晶球。 ＆nbsp;此外，SIC坚硬而脆弱，切割，打磨和抛光难度很高，会有很多浪费。同时，不允许温度和压力在晶体生长过程中犯任何错误。晶体生长过程在完全黑框环境中进行，在此期间无法通过肉眼观察到晶体的变化，并且晶体生长速率非常慢。 = msonormal样式=边距左：0.0000PT; MSO-PARA-MARGIN-LEFT：0.0000GD;文本结构：0.0000pt; MSO-Char-Indent计数：0.0000; mso-pagination：无；文字合格：正当；文本正式：际仪； MSO-List：L0 Level1 lfo1;>＆nbsp;
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Brand |
HMT |
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Material |
sic |
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Model Number |
6 inch |
业务性质
制造商/工厂
员工人数
11 - 50 People
成立年份
2009
国家/地区
苏州, 中国
主要产品
Sic Wafer, Sic Substrate, Gan Substrate, Sic Ingots...
法律地位
Third Party
付款条件
Bank wire (T/T)
HOMARay材料技术（HMT）成立于2009年，是SIC Ingots的领先制造商和供应商，碳化硅（SIC）底物晶片，SIC EPI晶片和氮化盐（GAN）底物晶片（GAN-on-Sapphire Template） ，独立的gan晶片），gan epi晶圆（gan-on-si epi晶圆，gan-on-sapphire epi晶圆，gan-on-on-sic epi wafer）等。广泛认识到复合半导体（gan，sic，sic，sic，sic ）具有像宽带盖（Wide-Bandgap）这样的出色属性，将成为下一代设备最有希望的材料选择。 GAN设备/模块和SIC设备/模块可以由于其高临界电场而同时实现低损耗和快速开关/振荡。 HOMARay Material Technology致力于开发高质量的Gan晶圆和SIC晶圆，用于HEMT RF，Power Electronics和Opto电子应用。作为半导体行业的领先底物晶圆和EPI晶圆制造商和供应商，我们的经销商和合作伙伴主要分布在欧洲，美国，东南亚和南美，我们的销售价值在2020年超过6500万美元。专业服务赢得了世界上客户以及我们的市场份额的信托和支持。
